梁孟松的辞职感言

1、2009年2月，在蒋尚义离职三年后，依旧没有等到晋升的梁孟松，选择从台积电离职。

2、一个月后，蒋尚义加入武汉弘芯，担任CEO。由于种种原因，武汉弘芯在一度停摆，由武汉市东西湖区政府接管，而蒋尚义于2020年11月通过律师发表声明，其已于2020年6月因个人原因辞去武汉弘芯的董事、总经理及CEO首席执行官等一切职务。

3、不得泄漏其任职台积电期间所知悉的营业秘密；

4、2011年的内斗，皆因以大唐电信为主的董事会、股东与台系研发技术为主的技术团队，出现了不可调和的矛盾而爆发，爆发之后，由邱慈云接手才趋于缓和，但是最终双方的代表人物都被迫离开。

5、2017年10月，在中芯国际与梁孟松长达一年多的反复接触和沟通后，梁孟松选择在与三星的契约结束之后，接受了中芯国际的邀请。

6、2000年前后，在芯片制造技术上一直处于领先地位IBM（International Business Machines Corporation，国际商用电器），突破了0.13um的制程工艺，IBM找到台湾两大芯片制造巨头，台积电与台联电，与他们商谈0.13um的技术合作。

7、3年前中芯国际还在28nm制程阶段，3年后中芯国际已经进入到14nm，之所以有如何快的进展，离不开梁孟松的努力。2017年梁孟松进入中芯国际担任CEO，几乎没有休假，带领数千人团队攻克芯片技术，甚至研发到了7nm。

8、不得泄漏台积电研发部门人员的相关信息予韩国三星电子；

9、2016年12月，中芯国际发布公告宣布，蒋尚义加入中芯国际，出任第三类独立非执行董事。在2019年6月，中芯国际公告披露，任期届满三年的蒋尚义因个人原因不再连任独立非执行董事。

10、2015年8月24日，智慧财产法院第二审合议庭，台积电对梁孟松所提出的三项请求，全部获判胜诉。

11、2001年，台积电在蒋尚义的铁血力推下，直接跳过0.15um，从0.18um直接量产0.13um制程。而0.13um制程采用的铜介质，改变了之前以铝为介质的模式，同时还引入了Low-K Dielectric（低介电质绝缘）技术，0.13um的量产，让台积电从芯片代工第二、芯片制程技术处于追赶的状态，一跃成为全球第一的代工巨头，技术上也与IBM/英特尔实现了并驾齐驱。

12、1998年，加州大学伯克利分校胡正明教授在美国国防部高级研究项目局（Defense Advanced Research Projects Agency，DARPA）的资助下，带着一个团队，研究CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）晶体管工艺技术的拓展，他们的目的是如何将晶体管的密度制程，提高到25nm。

13、2011年10月，台积电发起了对梁孟松的诉讼围剿，与梁孟松一同面对台积电围剿的，还是二十余名与他一起来到三星的旧将，台积电指控梁孟松自2009年离职，并从该年8月到三星旗下的成均馆大学任教以来，“应已陆续泄漏台积电公司之营业秘密予三星。”

14、2007年，台积电45nm制程顺利量产，梁孟松居功至伟。

15、2011年7月13日，梁孟松公开宣布，正式加入三星集团，担任三星LSI部门技术长，同时也是三星晶圆代工的执行副总。

16、1992年，40岁的梁孟松，从AMD储存器部门离职的梁孟松，接受了台积电的邀请，前往台积电任职。

17、2016年，梁孟松离开三星，而在他之前的2013年，蒋尚义再次从台积电离职（退休）。

18、2006年，晚来台积电五年的蒋尚义第一次从台积电离开，离开的时候，台积电刚量产65nm，并投入了重兵突破45nm制程节点，而这个制程节点的主要负责人，就是梁孟松。

19、三星赌上公司命运全力支持，终获成功；在梁孟松及其团队的努力下，三星14nm制程量产时间节点，比台积电早了约半年，而且台积电推出的制程为16nm。

20、2017年10月16日，中芯国际召开临时董事会，正式宣布梁孟松出任中芯国际联合首席执行官（Co-CEO）兼执行董事，和5月10日刚刚获委任为中芯国际首席执行官的赵海军一起形成双首席执行官的局面，开启了中芯的双首长制时代。

21、2017年10月，加入中芯国际时，梁孟松从三星带走了多位台籍和韩籍工程师到中芯，但其最依重的随他从台积电跳槽至三星的六人却只有黄国泰一人到中芯，其余五人均婉拒梁孟松之邀：侯永田任职格芯新加坡厂；陈建良也一度转任职格芯，后转赴台湾联电；万文恺任职联发科的研发部门；郑钧隆传出任职美商半导体公司；夏劲秋则担任了中国大陆新成立的云芯国际集成电路制造有限公司董事。

22、禁止梁孟松在2015年12月31日前，以任职或其他方式为三星提供服务。